Titulní strana listopadového vydání časopisu Physica Status Solidi B představuje výsledek výzkumu Ing. Petra Vacka získaný ve spolupráci s Ing. Petrem Kostelníkem, Ph.D. (ON Semiconductor) a doc. Ing. Romanem Grögerem, Ph.D.
V rámci tohoto výzkumu se skupina vedená doc. Grögerem zaměřuje na charakterizaci struktury a elektrické aktivity vláknových dislokací v AlN/Si heterostrukturách deponovaných metodou MOCVD, které slouží jako nukleační vrstvy pro růst GaN v optoelektronice. Mimo využití techniky difrakčního kontrastu v transmisní elektronové mikroskopii tato práce obsahuje korelaci struktur vláknových dislokací s prostorovým rozložením proudu indukovaného elektronovým svazkem v blízkosti vláknových dislokací. Vytvořením tenké vrstvy kovu (Au/Ni) na povrchu AlN dochází k vytvoření Schottkyho bariéry mezi kovem a polovodičem. Vnitřní elektrické pole pak separuje elektrony a díry vytvořené nízkoenergiovým elektronovým svazkem v SEM. Průchod volných elektronů je registrován v zařízení Mighty EBIC 2.0 instalovaném v mikroskopu TESCAN Lyra 3 XMH FEG/SEM. Mapa EBIC proudu získaná rastrováním povrchu Au/Ni/AlN tak poskytuje informaci o elektrické aktivitě jednotlivých typů vláknových dislokací a jejich klastrů.
