Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i. > Seznam projektů > Detail projektu

---

Využití povrchových jevů k eliminaci rozsáhlých defektů v polovodičových nanostrukturách

Anotace

Polovodičové filmy jsou často pěstovány na substrátech s nesourodými mřížkami, což má za následek velkou hustotu vláknových dislokací, které snižují účinnost LED, laserových diod a HEMT tranzistorů. Existující teoretické modely III-nitridů předpokládají čistě kovalentní popis vazeb a ignorují jejich silnou iontovou složku. Experimentální studie se navíc zaměřují na důsledky epitaxe na nesourodých substrátech a ne na příčiny nukleace rozsáhlých defektů v jejich rané fázi. V tomto projektu formulujeme nový empirický potenciál pro Ga-Al-N-Si systém, který umožní nejen stanovení rovnovážných struktur, ale také rozdělení náboje v okolí rozsáhlých defektů. Optimalizace rané fáze růstu III-nitridů po vrstvách metodou ALD (PLD) umožní přípravu kvalitních AlN/Si{111} a GaN/Si{100} substrátů a následný homoepitaxní růst metodou MOVPE. Detailní studie struktury, elektrických a optických vlastností takto získaných heterostruktur umožní identifikovat optimální způsob přípravy těchto vrstev s minimální hustotou rozsáhlých defektů.