Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i. > Seznam projektů > Detail projektu

Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku

SpoluřešitelRNDr. Jiří Buršík, CSc., DSc.
Číslo projektu202/09/1013
AgenturaGrantová agentura České republiky
Doba řešení2008-12-31 - 2011-12-30

Anotace
Projekt je věnován studiu nukleace a růstu kyslíkových precipitátů v křemíkových krystalech rostlých
Czochralskiho metodou. Aplikujeme následující experimentální metody: rtg rozptyl, infračervená absorpční
spektroskopie, leptání, optická mikroskopie a transmisní elektronová mikroskopie, a jejich výsledky detailně
porovnáme. Tyto metody nám dovolí charakterizovat globálně i lokálně distribuci precipitátů (velikosti a
hustoty klastrů) a způsobených defektů (deformace krystalové mříže) ve vzorcích vystavených řízeným
žíhacím procesům. Experimentální výsledky budou srovnány s teoretickým modelováním založeném na
teoriích nukleace a růstu, s metodikou jdoucí za hranice obvykle používané klasické teorie nukleace.
Numerická analýza nám dovolí určit materiálové konstanty používané a potřebné pro numerickou simulaci
růstu precipitátů. Předpověď a porozumění kinetice precipitačních procesů povede k vyvinutí receptů žíhacích
procesů s řízenými parametry vzorků.

2012

Meduňa M., Růžička J., Caha O., Buršík J., Svoboda M.: Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods. Physica B 407 (2012) 3002-3005

Meduňa M., Caha O., Buršík J.: Studies of influence of high temperature preannealing on oxygen precipitation in CZ Si wafers. J. Cryst. Growth 348 (2012) 53-59


2011

Caha O., Bernatová S., Meduňa M., Svoboda M., Buršík J.: Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques. Phys. Stat. Sol. A 208 (2011) 2587-2590